打破垄断！继紫光国芯、华为后又一芯片实现突破，国产曙光来临？中国芯终于迎来了好消息继华

中国芯终于迎来了好消息
继华为之后，中芯国际也被纳入了"实体清单" ，尽管后期说是拿到了许可，但也仅限于成熟工艺，什么意思呢？就是允许你做"过时"的工艺，想要往下进行下去？门都没有，毕竟像EUV光刻机还是被限制呢。

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于是关于芯片自研的呼声越来越强，以至于清华大学教授魏少军表示"替代不应该成为主旋律"的时候在网上都被喷成筛子了，而在国内众多力量的推动下，国产芯片也传来了好消息，继紫光国芯后又一芯片实现突破。

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日媒前日报道国内的长江存储已经成功地实现了192层的3DNAND闪存芯片的技术突破，如果为了更好地保证质量过关，可能会到下半年就开始实现量产。
很多人可能不是很清楚这是怎么回事，或是有啥意义，就像中兴实现7nm的5G基站芯片商用的时候，不少吃瓜群众表示没啥用，又不是手机芯片，关于这个话题咱再论，先说说闪存芯片吧。
3DNAND是英特尔与镁光共同研发的一种新型闪存类型，在此之前都是处于垄断的局面，而且韩、美只能做到128层。

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现在的长江存储可以实现192层，什么意思呢？一来说明我们在该领域实现的技术突破，二来假如实现量产的话，那么这个行业也会出现一定的改变，而这对国内半导体的发展也是利好的。
据媒体爆料称长江存储斥1550亿元筹建的武汉工程，已经开始进行生产了，在全球芯片产能吃紧的情况下，半导体产业正在发生着转移，而长江存储的这一技术突破也是可以看出国内科技的发展以及半导体的推进。

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其实除了刚刚提到的闪存芯片的突破，在前不久紫光国芯、华为也传来了好消息。
比如紫光国芯推出了首个基于12nm工艺的GDDR6存储控制器的物理接口，这个也是属于打破了垄断局面，实现了从0到1的局面。
再如华为公布的基于鲲鹏平台的硬件平台，但是显卡是AMD提供了，而紫光国芯的这一次突破，就可以很好地解决这个问题，中国芯在GDDR6领域有了属于自己的IP主控芯片。而且其性能也提高了4倍之多。

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而华为海思搞定的OLED芯片，既实现了去美化，还实现了可自主生产。
在此之前OLED显示驱动IC芯片市场中基本是被韩企所垄断着，国内厂商的份额也就占据可怜的1% 。
随着华为技术部门的专项成立，显示驱动IC芯片成功流片，实现了去美化，通过国内代工可自主生产，而我们也是打破了美韩垄断的局面。
其实不管是长江存储还是紫光国芯，或是华为的OLED芯片，其重要目的就是实现去美化，实现自主化，我们可以进步慢，但不会停止研发的脚步。

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重压之下，必有突破，相信国内在今后越战越勇，实现技术的突破与芯片的自主生产，那时，老美的限制就显得苍白。
【打破垄断！继紫光国芯、华为后又一芯片实现突破，国产曙光来临？】为国内科技点赞，每一次突破，都是团队日夜奋战的结果！