解决MOS管小电流发热，就看这一招！( 二 ) 1MOSFET的击穿有哪几种？Sourc

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如何处理mos管小电流发热严重情况？
mos管，做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。 MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。
无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。 MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。 MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中， MOS管的开关速度应该比三极管快。
我们经常看MOS管的PDF参数， MOS管制造商采用RDS（ON）参数来定义导通阻抗，对开关应用来说， RDS（ON）也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS（ON）与栅极（或驱动）电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动， RDS（ON）是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS（ON）的增加。 MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。 RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。
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mos管小电流发热的原因
1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关， G级电压要比电源高几V ，才能完全导通， P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。
2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高， MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
3、没有做好足够的散热设计，电流太高， MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
4、MOS管的选型有误，对功率判断有误， MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
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mos管小电流发热严重怎么解决
1、做好MOS管的散热设计，添加足够多的辅助散热片。
2、贴散热胶。
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MOS管为什么可以防止电源反接？
电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我们就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。
一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于二极管有压降，会给电路造成不必要的损耗，尤其是电池供电场合，本来电池电压就3.7V ，你就用二极管降了0.6V ，使得电池使用时间大减。
MOS管防反接，好处就是压降小，小到几乎可以忽略不计。现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A（这个电流已经很大了），在他上面的压降只有6.5毫伏。
由于MOS管越来越便宜，所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。
NMOS管防止电源反接电路：

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正确连接时：刚上电， MOS管的寄生二极管导通，所以S的电位大概就是0.6V ，而G极的电位，是VBAT ， VBAT-0.6V大于UGS的阀值开启电压， MOS管的DS就会导通，由于内阻很小，所以就把寄生二极管短路了，压降几乎为0 。
电源接反时：UGS=0 ， MOS管不会导通，和负载的回路就是断的，从而保证电路安全。

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正确连接时：刚上电， MOS管的寄生二极管导通，电源与负载形成回路，所以S极电位就是VBAT-0.6V ，而G极电位是0V ， PMOS管导通，从D流向S的电流把二极管短路。
电源接反时：G极是高电平， PMOS管不导通。保护电路安全。
连接技巧：NMOS管DS串到负极， PMOS管DS串到正极，让寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向。
【解决MOS管小电流发热，就看这一招！】感觉DS流向是“反”的？
仔细的朋友会发现，防反接电路中， DS的电流流向，和我们平时使用的电流方向是反的。
为什么要接成反的？
利用寄生二极管的导通作用，在刚上电时，使得UGS满足阀值要求。
为什么可以接成反的？
如果是三极管， NPN的电流方向只能是C到E ， PNP的电流方向只能是E到C 。不过， MOS管的D和S是可以互换的。这也是三极管和MOS管的区别之一。