基于耗尽型MOS工艺设计的模拟开关RS550 ：基于耗尽型MOS工艺设计的模

原标题：基于耗尽型MOS工艺设计的模拟开关RS550
常见的模拟开关都是增强型MOS工艺设计，芯片内部逻辑只能在一定的工作电压范围才能正常实现控制动作，在没有供电下所有逻辑都处于不确定的状态，也就是常说的高阻状态。而耗尽型MOS则具备在无电源下常闭的特性，基于此工艺设计的模拟开关就具备了特有的电气特性。
【基于耗尽型MOS工艺设计的模拟开关RS550】润石科技RS550即是基于耗尽型MOS工艺设计的模拟开关，在系统不提供工作电源下，所有通道都处于闭合导通状态，在系统提供一定工作电压下，所有通道都处于断开不导通状态，其它主要特性如下：
●提供4通道，满足左右声道立体声差分信号和单端信号应用；
●覆盖音频频段；
●更低的导通阻抗：0.5Ω；
●总谐波失真THD+N低至0.002%；
●提供WLCSP12、QFN2.5x2.5两种封装。

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RS550最主要的应用场景是降噪耳机等音频系统，比如当耳机自带的电池电量耗尽，或者需要控制外部输入的音源直通到喇叭，此时RS550不需要供电就处于闭合导通状态， 0.002%的THD+N可以保障音频信号完美通过。
RS550提供WLCSP12和QFN2.5x2.5两种封装，既能满足耳机系统小型化的面积要求和兼容性要求，也特别为研发调试和生产加工的便利性和良率考虑，提供QFN2.5x2.5封装。