让硅发光强度提高超十倍！中国留学生实现全硅基芯片间高速光通信( 三 ) 当晶体管小到无法再缩小、单

也就是说，硅的发光能力提高后， COMSLED的集成将不再需要额外制作的高昂成本，到那时硅光技术将可以用在更多方面。
薛今举例说道，比如现在最新的iPhone里面只有价格最高的机型中采用了激光雷达技术（Lidar）。这就是因为目前激光雷达中光源阵列的发光元件是III-V族半导体砷化镓，而其他驱动芯片、感光阵列等都是硅，把不同材料封装在一起的成本正是激光雷达成本高昂的原因。这也使得目前该模块体积较大，而且受限于光源阵列的大小，精度也一般。
而当发光元件也是硅的时候，光源阵列、感光阵列、驱动和逻辑处理直接集成在一起，便可以省去昂贵的封装成本。更为重要的是，将可以在更小的模块体积下达到更高的分辨率和精度。到那时，不仅iPhone所有机型都可以用激光雷达，甚至所有的智能家电都可以使用这一技术。
在薛今的本次成果中，硅基发光的性能虽比以往有了长足进步，但尚不足以挑战业已成熟的III-V族半导体。不过，薛今及其合作者表示，他们已通过进一步实验表明，未来微型化的硅基半导体发光器件将有可能达到甚至超过现有III-V族半导体器件在类似条件下的性能。
从兴趣和不解出发，探究阻碍硅发光的秘密说到对硅在发光方向上的研究，薛今说“这是很自然的事情” 。

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图｜薛今（来源：受访者提供）
他出生于江苏常州，曾就读于江苏常州高级中学。高二时他获得了新加坡政府奖学金，并赴新完成了本科学业。
2012年，薛今获得南洋理工大学电气与电子工程学士学位，并取得新加坡最高的国家科学奖学金，次年前往MIT电子工程与电脑科学系攻读硕士和博士。今年春天即将毕业。
从本科最开始接触光纤激光、到在MIT研究光电半导体器件，他的研究方向就是他的兴趣所在。
在MIT最初几年，他提出了氮化镓（GaN）半导体发光效率超过100%的可能性（即直接从空气中吸热发光），并尝试为光电半导体器件构建一个基于热力学和统计力学的理论框架，希望从不同视角带来全新的认知。由此便延伸到硅的发光上，就像前文提到的， “（根据热力学的可逆性）硅是一个很好的光的探测器，它既然可以很好地吸收光，为什么不能发出光？”这一好奇开始，薛今从硅基光电结合领域的研究出发，一步一步探究阻碍硅发光背后的原因。
现在，薛今已经用他的方法解决了自己的疑问，也在全硅基集成发光上做好了规划。
接下来，他将进一步探索集成光学腔以实现微型硅基激光器的可能性，以及硅光子系统集成的验证，希望硅能够发出更亮的光、达到更高的效率，实现芯片之间甚至内部更高速的信息传输，应用在实际中如面部识别将更快速、更精准等。