终于迎来好消息，花费1550亿，中国芯片取得巨大进展任何科技的突破、领先都需要

任何科技的突破、领先都需要投入大量的人力、物力、财力，并不是我们一句话就能够让其瞬时间突飞猛涨。而芯片技术一直是我们的心头大事，近几年美国的打压，禁止美国企业与中国华为的合作、禁止向中国华为提供任何关于芯片的技术、联合其他一些国家一起来制裁华为等等，这些国家为了制止中国对中国企业下手，封锁技术。

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而这也暴露出了一些更严重的问题，对外国技术的依赖只会增大我们被压制的风险，芯片技术虽然我国也一直在研发，但不得不承认目前关于半导体的技术大部分依然掌握在其他国家手中，尤其是美国的半导体事业是处于世界先进水平。过去我们一直是与这些掌握着核心技术的别国企业进行合作，但是只要他们收回技术，那么我们的产品就面临着停产的危险地步。但正是因为他们的逼人太甚，使得我国不论是从政策还是金钱都加大了投入力度，下定决心加快速度研制中国芯片。

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对于中国芯片，其实除了我们所熟知的龙芯系列外还有很多其他的，今天介绍给大家的是192层3DNAND闪存芯片，这个项目共花费了近1550亿。近期据长江存储计划的消息称：最早将于2021年年中试产第一批192层3DNAND闪存芯片。对于存储芯片这个领域我国其实一直处于无人问津的状况，而长江存储是在2016年才设立的，这短短的不到六年的时间192层3DNAND闪存芯片就已经研制成功，目前处于试生产的阶段。日本媒体也发表了言论称：中国芯片取得了巨大的突破。去年三星和英特尔都相继研发出新品，但是中国的是192层3DNAND闪存芯片是处于领先位置的，但是论良品率我们还是有欠缺的，在这方面三星做的好很多。

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【终于迎来好消息，花费1550亿，中国芯片取得巨大进展】客观的说，我们闪存芯片从无到有，耗时短，成就大，但我们也要认清现实，还有很多需要我们去做的，技术领先的同时，产品的质量也是很重要的衡量标准，但是小编是十分有信心即使现在有欠缺，但是永不言败是我们的精神，我们会一直向前。即使现如今我们面对着很多外界的压力，但是我们唯一能做的就是少说多做，现在被压制、被欺压不代表以后也是，将技术掌握在自己手中才是最好的对抗手段。