ISSCC技术创新看这里：三星首创内嵌AI芯片HBM，谷歌雷达5米识人( 二 ) 芯东西（ID：aichip001）作者|

其中，南洋理工大学分享了一款实时手势识别芯片，该芯片适用于可穿戴和物联网设备场景。这款芯片采用65nm制程，面积为1.5平方毫米，可用于识别24种动态手势，平均准确率为92.6% 。在0.6V电压下，功率为184μW 。
哥伦比亚大学团队则分享了一款噪声识别芯片。据哥伦比亚大学分享的数据，在570nW功率下，该款芯片解决方案在5～20dB的信噪比范围内，对4种不同噪声类型的识别精度可达到89～94% 。
二、雷达芯片：谷歌/德州仪器分别揭秘手机/车用雷达技术细节
在雷达芯片领域，谷歌和德州仪器的演讲者分别现身进行技术讲解。
谷歌首次揭秘搭载于Pixel4手机的“Soli”雷达芯片技术细节；德州仪器则分享了其车用雷达芯片、工业用雷达芯片的独特设计。
1、谷歌：揭开手机雷达芯片5米“识人”秘诀
谷歌的“Soli”雷达芯片搭载于Pixel4手机中，可用于识别手机前方5米范围内的人类手势，并将距离误差控制在800mm内、将角度误差控制在80度范围内。
该芯片采用英飞凌公司的0.13μm制程BiCMOS工艺制造， 1.8V下的峰值功率小于400mW 。
据谷歌分享， “Soli”雷达芯片由一个发射通道和三个接受通道组成。每个通道均在5*6mm封装的顶部封装共振贴片天线，天线体积小到可以嵌入手机面板。
此外，共振贴片天线被切割到芯片4层金属层封装的顶层，并在下层中有馈线（feeder）。数据显示， “Soli”芯片的收发隔离度可以达到20dB以上。

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▲谷歌“Soli”雷达芯片天线示意图（图中左部）
2、德州仪器：两款45nm雷达芯片的架构秘诀
德州仪器在ISSCC2021大会上分享了两款45nm雷达芯片的技术细节，两款芯片均采用覆晶技术封装，具备9层金属层。
其中一款用于76～81GHz频段下的FMCW汽车雷达；另一款采用封装集成天线，适用于60GHz频率下的工业传感。
据德州仪器在ISSCC大会上分享，适用于60GHz频率下工业传感的雷达芯片采用了一种“无模型芯片级倒装芯片封装（mould-lessunder-mountchip-scaleflip-chippackage）” 。
该芯片中，天线安装于15×15mm球栅阵列封装（BGA）和60GHz死区的底部。发射天线和接收天线均为凹型（cavity-backed）的“E”型贴片。
三、量子芯片：英特尔22nm低温CMOS可驱动16个自旋量子比特
放眼整个行业，量子芯片发展尚处于初级阶段。但是，量子计算强大的并行运算能力，吸引着众多玩家在这个新兴领域进行不辍探索。
本届ISSCC大会上，英特尔、代尔夫特理工大学、洛桑联邦理工学院和剑桥日立，分享了他们在量子芯片设计方面的心得。
1、英特尔：展示可驱动16量子比特的22nm量子芯片
英特尔展示的量子芯片采用22nmFinFET工艺制造，可在4K温度下运行，实现了最多对128个量子比特（qubit）的控制。
该芯片与一个被冷却到20mK温度下的自旋量子比特相邻。为增加量子芯片的灵活性，英特尔芯片设计人员还在该芯片上增加了一个微控制器。
该芯片具备量子比特读出（QubitReadout）和多门控脉冲（MultigatePulsing）两大功能。
通过多频率复用，该芯片可在一条射频线路上驱动多达16个自旋量子比特，并同时读取6个量子比特的状态和控制22个门电位。通过同时控制多个门电位，该芯片可有效地进行量子比特读取、实现多个量子比特的纠缠和操作。

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▲英特尔量子芯片示意图（图片右部）
2、代尔夫特理工大学&洛桑联邦理工学院等：分享量子计算低温CMOS技术新进展
来自荷兰代尔夫特理工大学的研究团队分享了两项量子计算低温CMOS技术。
其中，一款低温CMOS在4.2K的运行温度下，增益为58dB、噪声系数为0.6dB；一款模拟数字转换器能以36.2dBSNDR、低于0.5mW/量子比特的功耗读取多个量子比特。
瑞士洛桑联邦理工学院和剑桥日立分享了他们在低温CMOS领域的一项联合研究，即一款采用40nm制程标准CMOS工艺制造的量子芯片。
该芯片在5～6.5GHz操作频率下增益为70dB、噪声系数为0.55dB ，可读取70个量子比特，能耗为1.5mW/量子比特。
结语：9大技术彰显芯片设计风向标
作为已有近70年历史的集成电路设计领域顶会， ISSCC会议汇集了各领域芯片设计玩家的最新技术突破与探索。
可以看到，在AI芯片领域，除了不断提升芯片算力以外，优化能效比日益为芯片设计玩家所重视。此外，物联网应用加速落地与雷达芯片技术升级相互促进、产学界对量子芯片技术的探索亦未停歇。