2025年可突破百亿的车载功率半导体行业，未来价值量可期( 二 ) 随着汽车电动化、智能化、网

IGBT主要应用于新能源汽车领域中以下几个方面：电机控制器、车载空调、充电桩
1）电机控制器：大功率直流/交流逆变后驱动汽车电机，锂电池+汽车电池+电机控制器=新能源汽车动力系统，相当于传统汽车的发电机， IGBT模块相当于汽车动力系统的CPU
2）车载空调控制系统：小功率直流/交流逆变，使用电流较小的IGBT模块
3）充电桩：智能充电桩中IGBT被作为开关元件使用
IGBT的制造工艺在持续革新， IGBT产品的差异化和性能的提升有赖于掺杂、扩散和薄片加工等多种工艺的应用，相关工艺的技术壁垒较高，制造技术也成为实现IGBT自主创新的关键。

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IGBT芯片技术的发展
从20世纪80年代至今， IGBT芯片经历了7代升级，从平面穿通型（PT）到沟槽型电场—截止型（FS-Trench），芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化，断态电压也从600V提高到6500V以上。

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1）第一代：PT-IGBT ，产品采用“辐照”手段，由于体内晶体结构本身原因造成“负温度系数” ，各IGBT原胞通态压降不一致，不利于并联运行，第一代IGBT电流只有25A ，且容量小，有擎住现象，速度低。
2）第二代：改进的PT-IGBT ，采用“电场终止技术” ，增加一个“缓冲层” ，在相同的击穿电压下实现了更薄的晶片厚度，从而降低了IGBT导通电阻，降低了IGBT工作过程中的损耗。此技术在耐压较高的IGBT上运用效果明显。
3）第三代：Trench-IGBT ，最大的改进是采用Trench结构，把沟道从表面变到垂直面，所以基区的PIN效应增强，栅极附近载流子浓度增大，从而提高了电导调制效应减小了导通电阻；同时由于沟道不在表面，栅极密度增加不受限制，工作时增强了电流导通能力。
4）第四代：NPT-IGBT ，不再采用外延技术，而是采用离子注入的技术来生成P+集电极（透明集电极技术），可以精准的控制结深而控制发射效率尽可能低，增快载流子抽取速度来降低关断损耗，可以保持基区原有的载流子寿命而不会影响稳态功耗，同时具有正温度系数特点。
5）第五代：FS-IGBT ，是第四代产品“透明集电区技术”与“电场终止技术”的组合。
由于采用了先进的薄片技术并且在薄片上形成电场终止层，大大的减小了芯片的总厚度，使得导通压降和动态损耗都有大幅的下降，从而进一步降低IGBT工作中过程中的损耗。
6）第六代：FS-Trench-IGBT ，是在第五代基础上改进了沟槽栅结构，进一步的增加了芯片的电流导通能力，极大地优化了芯片内的载流子浓度和分布。减小了芯片的综合损耗。
7）第七代：IGBT7沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现5kv/us下的最佳开关性能。
功率半导体器件价值量稳步上升
功率器件产品中， MOSFET和IGBT是汽车电子的核心。 MOSFET产品是功率器件市场应用最多的产品， 2017年MOSFET占功率半导体分立器件市场35.4％；IGBT是功率器件中增长最为迅速的产品， 2017占总市场的25％，其作为新能源汽车必不可少的半导体器件，下游需求相当强劲。
相比于传统燃油车，新能源汽车功率器件使用量更大。根据StrategyAnalytics数据库的数据分析，在传统内燃机车上，功率半导体装机价值为71美元，占据车用半导体总价值的21％；而对于混合动力车，则在传统内燃汽车基础上新增的功率半导体价值为354美元（2301元）；在纯电动车上，功率半导体价值为387（2516元）美元，占据车用半导体总价值的55％。
根据中国国务院办公厅日前印发《新能源汽车产业发展规划(2021－2035年)》提出， 2025年，新能源汽车新车销售量达到汽车新车销售总量的20%左右。
在国务院新闻办公室3日举行的国务院政策例行吹风会上，辛国斌表示，如果汽车年销售总量是2500万辆， 20%则是500万辆。
根据公安部统计数据天风证券分析师预测：纯电动车2025年后将在新能源车中占比为80%左右。
功率半导体在中新能源汽车2025年的价值量分析：
500万辆车*80%纯电动车=400万辆纯电动车500万辆*20%其他=100辆混动车中国纯电动车功率半导体价值量2025：
400万辆纯电动车*387美元功率半导体价值=15.48亿美元=100亿元
中国混动车功率半导体价值量2025：