2025年可突破百亿的车载功率半导体行业,未来价值量可期( 三 )


100万辆混动车*354美元功率半导体价值=3.54亿美元=24亿元
功率半导体在中新能源汽车2025年的价值量=24+108=124亿元
Yole的调查结果显示 , 2019年功率半导体市场规模为175亿美元(约人民币1,225亿元) , 未来 , 年均增长率预计为4.3% , 2025年市场规模预计为225亿美元(约人民币1,575亿元) 。
新能源汽车将助力IGBT需求持续增长 , 汽车有望成为IGBT最大市场
IGBT作为汽车功率半导体的核心 , IGBT约占电机驱动系统成本的一半 , 而电机驱动系统占整车成本的15-20% , 也就是说IGBT占整车成本的7-10% 。
由于未来几年新能源汽车及充电桩市场将进入高增长期 , IGBT将迎来黄金发展期 。 是除电池之外成本第二高的元件 , 也决定了整车的能源效率 。
外国企业占据绝大部分市场:全球IGBT模组市场则主要由英飞凌、三菱电机、富士电机、安森美和赛米控等厂商占据 。 中国的斯达半导(Starpower)处于全球第八位 。

2025年可突破百亿的车载功率半导体行业,未来价值量可期
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目前 , IGBT国产化已成为国家关键半导体器件的发展重点之一 , IGBT已经被列为国家“02专项”的重点扶持项目 。
电动汽车(EV+PHEV)IGBT的市场份额中 , 英飞凌处于绝对领先位置 , 占49.2% 。

2025年可突破百亿的车载功率半导体行业,未来价值量可期
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部分国内IGBTIDM:
中车时代电气
2008年 , 中车时代电气(当时名为“南车时代电气”)收购全球IBGT厂商丹尼斯 , 2009年建成国内首条高压IGBT模块封装线 , 自2010年开始着手筹建国内首条专注于IGBT芯片的先进生产线 。
目前 , 中车时代电气IGBT产品已从650V覆盖至6500V , 并批量应用于高铁、电网、电动汽车、风电等领域 , 2017年其高压IGBT模块在电力系统收获订单 , 并成功研制世界最大容量压接型IGBT 。
士兰微
士兰微5英寸、6英寸芯片生产线已稳定运行 , 8英寸芯片生产线也顺利投产 , 陆续完成了高压BCD、超薄片槽栅IGBT、超结高压MOSFET、高密度沟槽栅MOSFET、快回复二极管、MEMS传感器等工艺的研发 。
2019年4月 , 士兰微推出了应用于家用电磁炉的1350VRC-IGBT系列产品 , 据悉其所开发的IGBT已在多个领域通过了客户的严格测试并导入量产 。
华微电子
华微电子主要生产功率半导体器件及IC , 目前已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等为营销主线的系列产品 , 其650V~1200V的Trench-FSIGBT平台产品已通过客户验证 。
2019年4月 , 华微电子拟募投8英寸生产线项目 , 600V-1700V各种电压、电流等级IGBT芯片是该项目的重点之一 。
重庆华润微
重庆华润微拥有国内第一条全内资8英寸专注功率器件晶圆生产线 , 月产能5.1万片 , 工艺能力0.18微米 , 以及一条8英寸特种工艺生产线 。
目前该公司已启动12英寸晶圆生产线及相关配套封测线建设规划 , 主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品 。
扬杰科技
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月 , 致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展 , 主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块 。
在IGBT方面扬杰科技于2018年3月控股了一条位于宜兴的6英寸晶圆线 , 目前该生产线已经量产IGBT芯片 , 主要应用于电磁炉等小家电领域 。
扬杰科技在互动平台上表示 , 2018年度 , 公司IGBT芯片实际产出近6000片 。
闻泰科技
2020年8月20日 , 闻泰科技12英寸车规级功率半导体晶圆制造中心项目正式签约落户临港新片区 。 项目总投资120亿元 , 预计达产后年产能36万片 。
闻天下董事长、闻泰科技董事长张学政介绍了闻泰科技收购安世半导体的基本情况以及未来的发展规划 。
张学政表示 , 闻天下作为闻泰科技的控股股东 , 将持续帮助闻泰科技在中国设立新的半导体研发中心、晶圆厂和封测厂 。
在各个层面上协助和帮助闻泰科技在半导体分立器件特别是车规级功率器件领域的研发、晶圆、封测项目在中国的产业落地 , 推动中国车规级半导体行业的发展 。
IGBT制造:
华虹宏力
上海华虹宏力半导体制造有限公司由原上海华虹NEC电子有限公司和上海宏力半导体制造有限公司新设合并而成 , 是全球首家提供场截止型绝缘栅双极型晶体管(FSIGBT)量产技术的8英寸集成电路芯片制造厂 。
华虹宏力自2011年起就已成功量产了1200V非穿通型(NPT)IGBT;2013年600V-1200VFSIGBT实现量产 , 随后与多家合作单位陆续推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工艺 , 成功解决了IGBT的关键工艺问题 , 包括硅片翘曲及背面工艺能力等 。